話你知/沒有EUV光刻機,如何國產7納米晶片?
荷蘭阿斯麥(ASML)目前在售的深紫外線(DUV)光刻機中,有4種高端的浸潤式光刻機,採用多重曝光技術,最高能實現7納米晶片工藝。而通過多重曝光會導致良率降低、工時效率低、成本增加等問題。所以如果光刻機精度跟得上的情況下,一般不會採用多次曝光的技術,因為效率降低,同時良率也會顯著下滑,最終導致成本可能成倍數上漲,非常不划算的。
不過要進入5納米,就必須使用極紫外線(EUV)光刻機,因為DUV光刻機精度有限,不能無限的多次曝光。目前DUV光刻技術最多4次曝光,且只能達到7納米。