長鑫第五代DRAM平台量產 媲美國際頂尖水平 創四重曝光技術 獲國產旗艦手機採用
中國存儲芯片製造巨頭長鑫科技昨在2026世界製造業大會上宣布，第五代DRAM技術平台（G5平台）正式量產，同步展出基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品。據介紹，該平台關鍵工藝實現多項行業領先的技術突破，依託創新的四重曝光技術把內存陣列的有源區半間距微縮至11.95納米，接近全球最頂尖的內存量產平台製程。業內認為，這對國產高端DRAM突破海外技術壁壘、增強中國在全球存儲芯片市場競爭力，具標誌性意義。
●香港文匯報記者 趙臣、朱順傑 合肥報道
據長鑫科技集團股份有限公司副總裁駱曉東在大會上介紹，長鑫科技採用創新的四重曝光技術（四重自對準圖形工藝），製成比肩行業量產的先進工藝平台。通過變革工藝流程，實現器件性能突破，存儲密度大幅提升。「用四重曝光技術，把內存陣列有源區半間距做到11.95納米，接近全球量產的最先進水平；通過工藝改進、材料迭代，把存儲器電容深寬比做到45：1，保證數據安全存儲；還開發了適配DRAM工藝的高階電金屬柵工藝，把核心功能區高度降到6,762納米；這個關鍵指標達到國際最先進的工藝平台要求。」
存儲密度大幅度提升
駱曉東稱，長鑫科技在存儲陣列和外圍邏輯陣列都實現了跨越式的微縮，第五代工藝平台的存儲密度有了大幅度提升。同等條件下，每張晶圓的產出，比上一代平台提升了50%以上，在產品能效、成本控制上均具備顯著優勢。基於該平台打造的24Gb LPDDR5X產品，現已正式量產，並全面進入國產主流旗艦手機。
據駱曉東介紹，在第五代平台的研發過程中，長鑫科技引入了適配DRAM生產的AI大模型和全流程數字孿生仿真技術，大大提升研發效率。同時，長鑫科技還和內地設備廠商進行聯合攻關，在界面工程、鞍形鰭式結構、低K間隔層位線等核心工藝上實現突破。
可適配中高端智能手機
另據介紹，本次製造業大會同步展出兩款基於G5平台打造的LPDDR5X量產產品，單顆容量均為24Gb，較上一代同類型產品提升50%，分別採用496Ball、245Ball封裝規格，可適配中高端智能手機、便攜式消費電子等不同場景需求，目前均已進入規模量產階段。
