【專家點評】追國際先進製程 中國DRAM產業抵新節點
北京工信國際科技發展有限責任公司副總經理魏志國對記者表示，長鑫儲存第五代DRAM技術平台（G5平台）實現量產，標誌着中國DRAM產業抵達了追趕國際先進製程的新節點。G5平台將內存陣列有源區半間距微縮至11.95納米，與國際頂端第六代10nm級製程的差距進一步收窄，跨入行業量產第一梯隊。短期看，這直接填補了內地高端DRAM供給缺口。而其長期價值更在於研發範式的升級，配套的全流程數字孿生研發系統將新工藝研發周期大幅壓縮，中國儲存產業的後續技術迭代有望持續加速。
「長鑫的量產節奏與三星、SK海力士等頭部廠商的差距已收窄至12-18個月，而此前兩代技術代差在3年以上。」魏志國指出，在國外半導體出口管制持續收緊背景下，G5的戰略價值遠超製程指標本身。它在高端設備受限的環境中，為中國高端DRAM找到了可量產、可迭代的自主技術路徑，同時帶動上游設備、材料配套環節的國產化驗證，助力夯實全產業鏈自主可控的底座。
魏志國認為，當前，AI產業的瓶頸已不僅在於算力芯片，存儲能力供給不足、功耗過高是普遍痛點。國產高密度DRAM的規模化供給，降低了算力集群的搭建門檻，對中小AI企業而言將迎來一波利好。此外，基於該平台打造的24Gb LPDDR5X產品已經進入國產旗艦手機。未來有望加速消費電子領域的國產平替，拓寬終端廠商的供應鏈選擇，平抑手機、電腦價格波動。
●香港文匯報記者 郭瀚林 北京報道
