AI落地驅動「超級周期」 掀產業全球版圖重構 10年技術攻堅見功 中國芯片躍升定價者

●內地芯片技術不斷提升。圖為新能源汽車模型展示搭載的國產芯片產品。 資料圖片
●內地芯片技術不斷提升。圖為新能源汽車模型展示搭載的國產芯片產品。 資料圖片

●北京大學信息科學技術學院教授、愛傑光電創始人周治平    香港文匯報記者倪夢璟  攝
●北京大學信息科學技術學院教授、愛傑光電創始人周治平 香港文匯報記者倪夢璟 攝



●小米發布了內地首款3nm旗艦SoC芯片。
●小米發布了內地首款3nm旗艦SoC芯片。

●長鑫科技通過「跳代研發+逆勢擴產」搶上高端算力賽道。
●長鑫科技通過「跳代研發+逆勢擴產」搶上高端算力賽道。

  今年以來全球存儲芯片市場上演前所未有的行情,供需失衡下價格極端上漲,部分規格現貨價格較去年同期暴漲近10倍,而以長鑫科技、長江存儲為代表的中國芯片龍頭企業憑藉性價比優勢與穩定供貨能力,生產的國產存儲芯片成為國際市場炙手可熱的「硬通貨」。這是當下AI「超級周期」引發全球半導體產業重構的一個縮影,在新版圖中,中國芯片產業不再是「旁觀者」或低附加值的「代工者」,而是深度參與價值分配,甚至在某些環節掌握定價權的「共建者」。

  ●香港文匯報記者 倪夢璟 上海報道

  把時間撥回十年前,國產存儲芯片還處於「跟跑」階段。彼時,全球DRAM(存儲器)和NAND Flash(閃存)市場被三星、SK海力士、美光三大國際巨頭牢牢把控,佔據全球超過90%市場份額,技術、資金、專利三重高牆把中國擋在門外,內地手機廠商和服務器廠商高度依賴進口,價格波動、供應中斷的風險始終懸在產業鏈頭頂。

  轉機來自持續十餘年的技術攻堅。行業資料顯示,作為內地存儲芯片龍頭企業,長鑫科技在DRAM領域完成了從DDR4到DDR5的工藝跨越,技術差距從過去的「代際落後」收窄至「一代以內」,通過「跳代研發+逆勢擴產」搶上AI高端算力賽道;長江存儲則繞開海外廠商的2D NAND專利壁壘,直接切入3D NAND賽道,並在3D NAND領域從64層一路追至232層,研發周期比海外同行縮短近三分之一。

  四周內交付 遠勝海外產品

  中國半導體行業協會在今年一季度的行業報告中指出,內地3D NAND量產良率已接近海外一線水平,DDR5產品在性能、功耗等關鍵指標上與海外品牌差距不足10%。多家國產存儲企業一季度產能利用率達到95%以上,部分產線已滿負荷運轉,交付周期仍能穩定在四周以內,而同期海外原廠通用產品的交付周期已延長至十二周以上。

  正在衝刺A股科創板上市的長鑫科技,最新的招股書顯示,公司今年一季度實現營收508億元(人民幣,下同),同比增長719.13%;歸母淨利潤247.62億元,同比大幅增長1688.3%。市場數據傳長江存儲首季收入亦同比翻倍,預計其NAND閃存產量年內有望躋身全球前三。兆易創新、佰維存儲等更多國產存儲芯片企業今年一季度業績也迎來爆發式增長。

  北京大學信息科學技術學院教授、愛傑光電創始人周治平表示,歷經多年技術攻堅與產能布局,中國存儲芯片產業已形成全球競爭優勢,是目前內地半導體領域最成熟的細分賽道之一,也是國產芯片規模化出海、刷新全球產業格局的核心支撐。在他看來,不同於邏輯芯片依賴極致先進製程,存儲芯片依靠堆疊工藝、架構優化實現性能升級,技術迭代路徑清晰、產業化落地性強,契合內地產業鏈配套、產能建設與研發投入節奏。經過多年深耕,內地存儲產業已形成「技術自主、產能可控、成本可控、市場全球化」的完整體系。

  存儲芯片穩居全球第一梯隊

  「不難發現,我們的存儲芯片穩居全球第一梯隊、競爭力突出,功率半導體、物聯網芯片、中低端模擬芯片等細分領域穩步突破,但高端邏輯芯片、先進製程芯片依然存在短板,發展空間巨大,需要我們所有人共同去不斷推進產業的創新升級。」周治平分析說。

  專注於硅光芯片及異質集成技術的易微達聯合創始人徐中偉向香港文匯報表示,當前國產芯片產業已形成鮮明的差異化競爭優勢,國產芯片自主化浪潮加速襲來,優質本土設計企業有望搶佔更多市場份額。他說:「區別於海外企業深耕先進製程內卷賽道,內地產業依託成熟製程高國產化率、低成本、大產能的核心優勢,疊加粵港澳大灣區與長三角等地完善的電子製造產業集群,能夠快速承接AI時代海量中端、中高端芯片需求,形成產銷用一體化的閉環優勢,疊加內地充足的工程師人才紅利,為國產芯片自主突圍、規模化替代、技術迭代升級提供了絕佳的市場窗口期。」

  市場數據顯示,中國已迅速在成熟製程芯片領域取得進展。這類芯片(28nm及以上)被廣泛應用於手機、家電、汽車及國防裝備等領域,市場反映中國的芯片製造商在價格和服務上極具競爭力。據國際數據公司(IDC)估算,在2025年,中國的成熟製程芯片產能已佔全球市場約28%。國際半導體產業協會(SEMI)則稱,到2027年這一數字可能會攀升至39%。