尖端科研/研「抗輻射」芯片 助建太空AI系統
中國空間站圍繞半導體納米材料的實驗引起高度關注。隨着太空探索和衛星技術的不斷進步，確保半導體具備「抗輻射」性能，能於太空惡劣的輻射環境中保持穩定，成為人工智能半導體製造企業所面臨的關鍵挑戰。去年底，英國太空鍛造公司利用「鍛造星」-1衛星，首次在太空中創建適合半導體材料製造的關鍵環境。該衛星尺寸約為微波爐大小，主體為可產生1000℃高溫「太空熔爐」。試驗中，熔爐內部產生高溫等離子體發光現象，證明已具備後續半導體晶體生長的合格、穩定的高溫環境。與地面半導體生產相比，太空的微重力和高真空環境有助於原子有序排列，可生成純度高4000倍的半導體材料。該公司後續將研製更大的衛星，實現在太空中製造氮化鎵、碳化硅、氮化鋁和金剛石等材料。
高純度半導體材料的誕生，可望支撐芯片於更極端的條件下運行。韓國科技信息通信部年初表示，一個韓國研究團隊已證實，一種名為「突觸晶體管（synaptic transistor）」的關鍵組件（用於下一代人工智能芯片）在高輻射空間環境中具有潛在應用價值。這一發現來自韓國原子能研究機構與忠北大學以及比利時電子研究中心IMEC公司合作開展的神經突觸晶體管研發項目。
上述項目在試驗中取得突破性進展：研究人員使用銦鎵鋅氧化物材料（IGZO）製造突觸晶體管，通過質子加速器進行測試：該晶體管經受住33MeV高能質子束的輻照處理，所施加的輻射劑量相當於在太空中停留20年的輻射強度，超過低軌道衛星的5至15年的典型使用壽命。測試結果證實，有關技術能應用於太空級別人工智能半導體，提升AI系統在太空運行的可靠性。\綜合報道
