香港第三代半導體明年通線
【大公報訊】記者郭如佳報道：香港科技園與麻省光子技術合作的香港首條超高真空「第三代半導體氮化鎵外延片中試線」正在推進，據了解，該項目明年可望實現通線，為香港半導體製造產業鏈提供關鍵的技術支撐。這對推動香港微電子產業發展，進一步完善本港創科生態圈有重要意義。
在去年的啟動儀式上，麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韜表示，公司計劃於科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心，以及於創新園開設首條超高真空量產型氮化鎵外延片中試線，預計將在香港投資至少二億港元及設立研發團隊，帶動整個第三代半導體產業鏈布局。
廖翊韜提到，公司計劃入駐香港科學園微電子中心，建設香港首條八吋氮化鎵外延片的研發中試產線，希望通過新產品的中試研發和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包，三年內完成中試並啟動在香港的氮化鎵外延量產的產線建設，實現年產一萬片八吋氮化鎵晶圓產能，將香港製造的外延片產品推向全球市場。
在香港特別行政區政府公布的《香港創新科技發展藍圖》，其中一個發展方向為完善創科生態圈，推進香港「新型工業化」，而政府會大力支持先進製造產業，包括半導體產業在港設立或擴展先進製造生產線。
據創科局局長孫東介紹，特區政府正以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展。香港將設立碳化矽和氮化鎵兩條中試線，協助初創、中小企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。
